今日快报！晶圆代工价格再升温！台积电3nm报价拟涨价25%，iPhone16、RTX 5090等旗舰产品成本或飙升

晶圆代工价格再升温！台积电3nm报价拟涨价25%，iPhone16、RTX 5090等旗舰产品成本或飙升

北京 - 2024年6月14日 - 据来自供应链的消息，台积电计划提高其3nm晶圆代工价格，涨幅高达25%。此举将使搭载3nm芯片的智能手机、PC等电子产品成本大幅上升，最终售价或将转嫁给消费者。

台积电3nm工艺是目前最先进的芯片制造工艺之一，相比上一代5nm工艺，性能提升了10-15%，功耗降低了30-40%。苹果、高通、英伟达等科技巨头均已采用3nm工艺生产其最新旗舰产品。

此次涨价的主要原因是3nm工艺的生产成本较高，且良率较低。台积电希望通过提高价格来弥补成本并获得更高的利润。

分析人士指出，台积电3nm报价上涨将对全球科技产业产生重大影响。一方面，智能手机、PC等电子产品的价格可能因此上涨；另一方面，芯片厂商可能会寻求其他代工厂商，如三星电子，以降低成本。

以下是此次涨价可能带来的影响：

• 智能手机价格上涨：iPhone 16、三星Galaxy S23等搭载3nm芯片的智能手机价格可能上涨10%-15%。
• PC价格上涨：采用3nm工艺的英伟达RTX 5090、AMD Zen 4等高端PC产品价格也可能上涨。
• 芯片厂商利润下降：手机厂商、PC厂商等芯片采购商的利润将受到挤压。
• 部分芯片厂商可能转向其他代工厂商：部分芯片厂商可能会寻求三星电子等其他代工厂商，以降低成本。

总体而言，台积电3nm报价上涨将对全球科技产业产生深远影响，消费者可能需要为高科技产品支付更高的价格。

以下是一些额外的细节，您可以根据需要添加到新闻稿中：

• 台积电3nm工艺的具体价格是多少？
• 哪些芯片厂商会受到此次涨价的影响？
• 涨价对消费者会产生哪些影响？
• 芯片厂商将如何应对涨价？

此外，您还可以考虑添加一些分析和评论，以使您的新闻稿更具深度。

我希望这份新闻稿能够满足您的要求。如果您有任何其他问题，请随时提出。

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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